RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
11.8
14.8
写入速度,GB/s
8.0
6.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2091
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link