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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB

总分
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

总分
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DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB

DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 6.9
    测试中的平均数值
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB 需要考虑的原因
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 47
    左右 -57% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 13.4
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 6.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2061 left arrow 2081

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB RAM的比较

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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
内存RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
内存RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
内存RAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
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内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston 9905702-002.A00G 8GB
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内存RAM
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
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