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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
47
左右 -147% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
19
读取速度,GB/s
11.8
19.9
写入速度,GB/s
8.0
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3359
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
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