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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
11.8
16.5
写入速度,GB/s
8.0
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3336
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
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