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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston 9905678-156.A00G 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
47
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
25
读取速度,GB/s
11.8
15.1
写入速度,GB/s
8.0
9.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2516
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
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