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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
47
26
读取速度,GB/s
11.8
13.9
写入速度,GB/s
8.0
9.5
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2432
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
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Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
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