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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
47
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
39
读取速度,GB/s
11.8
14.8
写入速度,GB/s
8.0
12.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2188
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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