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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
47
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
36
读取速度,GB/s
11.8
15.3
写入速度,GB/s
8.0
11.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2696
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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