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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

总分
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

总分
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 47
    左右 -34% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.1 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.3 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 15.1
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 11.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2061 left arrow 2631

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB RAM的比较

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Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
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A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
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内存RAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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内存RAM
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