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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.8
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
11.8
10.3
写入速度,GB/s
8.0
8.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2311
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Frequency (Mhz) *
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Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBZL 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
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