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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
54
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
54
读取速度,GB/s
11.8
15.7
写入速度,GB/s
8.0
11.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2511
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
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