RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

总分
star star star star star
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

总分
star star star star star
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB 需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 45
    左右 -45% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.3 left arrow 12
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.0 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    12.0 left arrow 15.3
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 11.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1939 left arrow 2959

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB

Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB RAM的比较

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
内存RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
内存RAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
内存RAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
内存RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
内存RAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
内存RAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
内存RAM