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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
12.0
17.9
写入速度,GB/s
7.8
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3336
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
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