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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
78
左右 42% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
78
读取速度,GB/s
12.0
14.2
写入速度,GB/s
7.8
11.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2087
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
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Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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