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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston 9905630-030.A00G 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
差异
规格
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Kingston 9905630-030.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
45
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
34
读取速度,GB/s
12.0
14.0
写入速度,GB/s
7.8
8.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2400
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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