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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
12.0
17.8
写入速度,GB/s
7.8
15.3
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3366
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
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