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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
12
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
12.0
13.9
写入速度,GB/s
7.8
7.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2192
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
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