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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
38
读取速度,GB/s
12.0
16.5
写入速度,GB/s
7.8
10.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2829
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
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