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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
62
左右 27% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
12
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
62
读取速度,GB/s
12.0
16.1
写入速度,GB/s
7.8
6.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
1586
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
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