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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
差异
规格
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
35
读取速度,GB/s
13.0
15.8
写入速度,GB/s
8.2
12.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
2905
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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