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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
12.3
18.1
写入速度,GB/s
8.0
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3365
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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