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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
45
左右 -125% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
20
读取速度,GB/s
12.3
19.2
写入速度,GB/s
8.0
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3429
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
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