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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston 9905598-019.A00G 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
23
读取速度,GB/s
12.3
14.2
写入速度,GB/s
8.0
7.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2368
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
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