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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston 9905625-142.A00G 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
12.3
13.8
写入速度,GB/s
8.0
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2737
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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