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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
8.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 -18% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
38
读取速度,GB/s
12.3
8.7
写入速度,GB/s
8.0
7.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
1999
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
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