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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
48
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
26
读取速度,GB/s
8.9
17.7
写入速度,GB/s
5.9
13.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3266
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
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