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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
48
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
35
读取速度,GB/s
8.9
14.7
写入速度,GB/s
5.9
10.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3099
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
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InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
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