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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
48
左右 -66% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
29
读取速度,GB/s
8.9
17.2
写入速度,GB/s
5.9
13.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3228
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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