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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
48
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
30
读取速度,GB/s
8.9
16.7
写入速度,GB/s
5.9
12.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3090
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
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