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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
48
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
32
读取速度,GB/s
8.9
16.6
写入速度,GB/s
5.9
12.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3293
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
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