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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
48
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
30
读取速度,GB/s
8.9
17.8
写入速度,GB/s
5.9
15.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3628
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
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