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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
48
左右 -182% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
17
读取速度,GB/s
8.9
21.4
写入速度,GB/s
5.9
19.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3775
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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