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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
48
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
28
读取速度,GB/s
8.9
17.8
写入速度,GB/s
5.9
16.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3898
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
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