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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
76
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
76
读取速度,GB/s
8.9
14.0
写入速度,GB/s
5.9
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2087
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
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