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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
48
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
26
读取速度,GB/s
8.9
19.3
写入速度,GB/s
5.9
16.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3733
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
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