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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
48
左右 -92% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
25.2
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.5
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
25
读取速度,GB/s
8.9
25.2
写入速度,GB/s
5.9
19.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
4167
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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