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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
48
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
27
读取速度,GB/s
8.9
19.5
写入速度,GB/s
5.9
15.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3631
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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