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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
48
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
39
读取速度,GB/s
8.9
14.6
写入速度,GB/s
5.9
10.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2513
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB RAM的比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
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