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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
48
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
40
读取速度,GB/s
8.9
15.7
写入速度,GB/s
5.9
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2972
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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