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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
67
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.1
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
67
读取速度,GB/s
8.9
17.1
写入速度,GB/s
5.9
9.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2027
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
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