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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905700-013.A00G 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
47
48
左右 -2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
47
读取速度,GB/s
8.9
13.9
写入速度,GB/s
5.9
7.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2074
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
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