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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9965669-027.A00G 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
44
48
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
44
读取速度,GB/s
8.9
12.5
写入速度,GB/s
5.9
9.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2452
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
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