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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
48
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
27
读取速度,GB/s
8.9
16.4
写入速度,GB/s
5.9
12.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3372
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
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Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
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