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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
48
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
31
读取速度,GB/s
8.9
17.1
写入速度,GB/s
5.9
13.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3123
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
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