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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
差异
规格
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差异
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.1
15.7
写入速度,GB/s
7.8
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2974
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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