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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.7
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
41
读取速度,GB/s
11.8
12.7
写入速度,GB/s
7.3
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2621
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
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