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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
48
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
33
读取速度,GB/s
8.9
16.8
写入速度,GB/s
5.9
16.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3573
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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