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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston KTD3KX-MIB 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
48
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
26
读取速度,GB/s
8.9
13.0
写入速度,GB/s
5.9
6.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1931
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Kingston KTD3KX-MIB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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