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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston X75V1H-MIE 32GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston X75V1H-MIE 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
57
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston X75V1H-MIE 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
57
读取速度,GB/s
8.9
16.7
写入速度,GB/s
5.9
15.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2886
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
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