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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
68
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
68
读取速度,GB/s
8.9
16.9
写入速度,GB/s
5.9
8.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2007
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-502.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
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